Journal of Computational Electronics

J COMPUT ELECTRON · ISSN 1569-8025 · EISSN 1572-8137 · 收录年度 2018–2026 · 共 8 年
分区口径 最新(中科院 2025 + 新锐 2026 + JCR 2026) 2023 年中科院 2022 年中科院 2021 年中科院(升级版) 2020 年中科院(升级版) 2019 年中科院(升级版) 2018 年中科院(基础版)

分区结论

中科院分区表 2025 年后不再更新, 2026 年起只有新锐分区;JCR 分区每年更新。 下面同时给出三套口径 —— 中科院那一套是**特意保留**的,方便你对比。 两两之间口径不同、不可换算,本站不做合并。
中科院分区 2025 年 · 最后一年
4 区
大类:工程技术
新锐分区 2026 年 · 当前口径
3 区
大类:工程技术 序号 697
JCR 分区 2026 年度 · 2 个学科
Q2
各学科:Q2 / Q3
下方逐学科列出
加入对比

投稿信息

投稿入口、版面费、审稿周期等信息来自公开渠道与期刊官网,仅供参考,请以期刊官方发布为准。
版面费 $3390
是否 OA
审稿周期 一审约 84
一审约 84 天
录用比例
出版商 Springer Science+Business Media
出版国家 / 语言 Netherlands
主题词:Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design; Semiconductor materials and devices; Quantum and electron transport phenomena; Silicon Carbide Semiconductor Technologies; Graphene research and applications; Semiconductor Quantum Structures and Devices; Nanowire Synthesis and Applications; Photonic and Optical Devices; Advanced Memory and Neural Computing; Molecular Junctions and Nanostructures; Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis; GaN-based semiconductor devices and materials; Antenna Design and Analysis; Ferroelectric and Negative Capacitance Devices; 2D Materials and Applications; Advanced Antenna and Metasurface Technologies; Microwave Engineering and Waveguides; Thermal properties of materials; Chalcogenide Semiconductor Thin Films; Quantum-Dot Cellular Automata; Plasmonic and Surface Plasmon Research; Carbon Nanotubes in Composites; Thin-Film Transistor Technologies; Quantum Dots Synthesis And Properties; Organic Electronics and Photovoltaics

分区走势

只统计同一套口径的历史年度,跨口径不比较。
中科院(升级版)
2019
3 区
工程技术
2020
4 区
工程技术
2021
4 区
工程技术
2022
4 区
工程技术
2023
4 区
工程技术
2025
4 区
工程技术
中科院(基础版):2018–2021 年发布的另一套中科院方案, 按 3 年平均 IF 分 13 个大类(升级版按期刊超越指数分 18 个大类)。 两套的分类法与区数都可能不同,不做换算。
2018
4 区
工程技术
3年均IF 1.354
2019
4 区
工程技术
3年均IF 1.531
2020
4 区
工程技术
3年均IF 1.533
2021
4 区
工程技术
3年均IF 1.658

影响因子

2015 年
1.104
2018 版
2016 年
1.526
2019 版
2017 年
1.431
2020 版
2018 年
1.637
2021 版
2019 年
1.532
2021 版
2020 年
1.807
2021 版
2025 年
2.800
2026 版
分区表版本3 年平均 IF总被引频次
2025 年 3,114
2021 年 1.658 3,287
2020 年 1.533 2,639
2019 年 1.531 2,214
2018 年 1.354 1,860
怎么读这张表:每个数字上方是 IF 本身所属的年份,下方是它由哪一版分区表公布。 例如「2020 年 / 2021 版」= 2021 版分区表公布的 2020 年度影响因子,不是「2021 年的 IF」。
数据范围:本站影响因子覆盖 2015–20202025 年度; 2021–2024 年缺失 —— 这几年没有可用的数据源,本站不做插值、也不拿旧年份的值顶替。 最早年份由分区表公布,2025 年度为 JCR 年度值。

JCR 分区明细(2026 年度)

JCR 分区是 Q1–Q4、按 WoS 学科分别发布的, 与中科院 1–4 区不是同一套口径,不可换算,因此单独列出、不做合并。 一本刊在不同学科下可能拿到不同分区 —— 下表逐学科给出。
WoS 学科 分区 总引用 索引库
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q2 3,114 SCIE
PHYSICS, APPLIED Q3 3,114 SCIE
怎么用:投稿时按你所在的那个学科看分区,不要只看哪个 Q 数字好看。 该刊在 2 个学科下被收录: Q2 / Q3。

收录与标记

Web of Science
综述期刊
Open Access
OA Journal Index
其它名称: J COMPUT ELECTRON(short) ·

2025 年 · 同类可替代期刊

依据小类重合度排序:小类越接近,投稿范围与审稿口味通常也越接近。
2026 年口径没有学科分类数据, 此处依据 2025 年的学科分类计算。
期刊ISSN分区备注
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 1041-1135 3 区 共享 2 个小类 加入对比
IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY 1051-8223 3 区 共享 2 个小类 加入对比
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY 1530-4388 3 区 共享 2 个小类 加入对比
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 0018-9464 3 区 共享 2 个小类 加入对比
MICROELECTRONICS RELIABILITY 0026-2714 3 区 共享 2 个小类 加入对比
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 0018-9383 3 区 共享 2 个小类 加入对比
Neuromorphic Computing and Engineering 2634-4386 3 区 共享 2 个小类 加入对比
JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS 1057-7157 3 区 共享 2 个小类 加入对比